Philippe JEAN-PIERRE

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• Type de publi. : Communication dans un congrès
• Date de publi. : 31/08/2004
• Auteurs : Philippe DessusEric Allègre
• Organismes : Laboratoire des Sciences de l'Éducation (Grenoble) Centre de Recherches en Education Formation et Insertion de Toulouse

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Fichiers liés : aecse04.PDF

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• Type de publi. : Communication dans un congrès
• Date de publi. : 14/08/2004
• Auteurs : Dominique PlansonDominique TournierJean-Pierre ChantePascal BevilacquaChristophe RaynaudPhilippe GodignonJ MillanX JordaJ-F de Palma
• Organismes : Centre de génie électrique de Lyon Institut National des Sciences Appliquées de Lyon Centre de génie électrique de Lyon Centro Nacional de Microelectronica [Spain] Institut National des Sciences Appliquées de Lyon Centre de génie électrique de Lyon Institut National des Sciences Appliquées de Lyon Centre de génie électrique de Lyon Institut National des Sciences Appliquées de Lyon Centre de génie électrique de Lyon Institut National des Sciences Appliquées de Lyon Centro Nacional de Microelectronica [Spain] Centro Nacional de Microelectronica [Spain] Centro Nacional de Microelectronica [Spain] Ferraz-Shawmut

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Résumé : The expansion of electricity networks (distribution of energy, telecommunication), strongly contributed to increase the risks of appearance of defects, such as surge or overload. This multiplicity and complexity of electric networks, the need to have reliable systems favoured the development of serial protection devices. Fuse solution allows an efficient and total protection but requires to replace an element in case of failure. Therefore, other solutions have been investigated. Complex systems have been developed, all based on serial compensation, such as supra-conductor material, GTO MOV combination ... Indeed, because of the strong energy appearance during a short circuit, it is necessary to limit and to dissipate the energy of the short circuit, under high bias. This constraint leads to a feasibility study of a current limiter in 4H silicon carbide (4H-SiC). A VJFET structure was retained focusing on a nominal current of IN = 1 A and a nominal voltage of VN = 690 V. The device was optimised, taking into account SiC excellent physical properties. The VJFET was designed checking the trade-off between a low on-resistance value, high voltage capability and the highest gate transconductance value. A first batch of component was made, validating the bi-directional limitation function in both current and voltage mode, (VMAX = 970 V). The efficiency of the protection was validated, demonstrating the capacity of a component to react very quickly (t < 1 µs). Using such a device is very suitable in several applications (protection against short circuit, transient over current…) as it will allow to reduce transient phenomena and thus increase the efficiency and lifetime of the whole system.

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Fichiers liés : paper_ipemc2004.pdf

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• Type de publi. :
• Date de publi. : 12/08/2004
• Auteurs : Sylvia BruneauSylvain ArnouldJean-Pierre CabaniolsPatrick ChamesAndré ChoulikaPhilippe DuchateauJean-Charles EpinatAgnès GoubleEmmanuel LacroixFrédéric PaquesChritophe PerezJulianne SmithDavid Sourdive
• Organismes : Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis

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• Type de publi. :
• Date de publi. : 12/08/2004
• Auteurs : Sylvia BruneauSylvain ArnouldJean-Pierre CabaniolsPatrick ChamesAndré ChoulikaPhilippe DuchateauJean-Charles EpinatAgnès GoubleFrédéric PaquesChristophe PerezJulianne SmithDavid Sourdive
• Organismes : Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis Cellectis

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• Type de publi. : Communication dans un congrès
• Date de publi. : 07/08/2004
• Auteurs : Florent LouisGontrand LeyssensJean-Pierre SawerysynValérie FeigenbrugelStéphane Le CalvéPhilippe Mirabel
• Organismes : Physicochimie des Processus de Combustion et de l’Atmosphère - UMR 8522 Physicochimie des Processus de Combustion et de l’Atmosphère - UMR 8522 Physicochimie des Processus de Combustion et de l’Atmosphère - UMR 8522 Centre de géochimie de la surface Centre de géochimie de la surface Centre de géochimie de la surface

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• Type de publi. :
• Date de publi. : 29/07/2004
• Auteurs : François MartinJean-Pierre BoninoPatrice BacchinStéphane VaillantEric FerrageWilliam VautrinPhilippe Barthes
• Organismes : ERT Géomatériaux Centre interuniversitaire de recherche et d'ingénierie des matériaux Laboratoire de Génie Chimique Centre interuniversitaire de recherche et d'ingénierie des matériaux Laboratoire des Mécanismes et Transfert en Géologie Hydrogéologie, argiles, sols et altérations - FRE3114 Centre interuniversitaire de recherche et d'ingénierie des matériaux Centre interuniversitaire de recherche et d'ingénierie des matériaux

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Résumé : The invention concerns a lubricating metal coating, and a method for making same. The material constituting the coating is a composite material comprising a metal matrix wherein are distributed sheet talc particles, the metal matrix consisting of a metal selected among Fe, Co, Ni, Mn, Cr, Cu, W, Mo, Zn, Au, Ag, Pb, Sn or of an alloy of said metals, or of a metal-metalloid alloy. The coating is obtained by a method which consists in carrying out an electrodeposit using a solution of precursors of the metal matrix of the coating containing additionally suspended talc particles surface-modified by irreversible adsorption of a cellulose-derived compound by substituting all or part of the hydroxyl groups.

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• Type de publi. : Article dans une revue
• Date de publi. : 19/07/2004
• Auteurs : Florence RaynalFrédéric PlazaAurélien BeufPhilippe CarrièreÉliane SouteyrandJean-René MartinJ.-P. CloarecMichel Cabrera
• Organismes : Laboratoire de Mecanique des Fluides et d'Acoustique Laboratoire de Mecanique des Fluides et d'Acoustique Laboratoire de Mecanique des Fluides et d'Acoustique Laboratoire de Mecanique des Fluides et d'Acoustique INL - Chimie et Nanobiotechnologies INL - Chimie et Nanobiotechnologies INL - Chimie et Nanobiotechnologies INL - Lab-On-Chip et Instrumentation
• Publié dans Physics of Fluids le 02/11/2020

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Résumé : Numerical simulations of a micromixing system based on chaotic advection for improved deoxyribonucleic acid (DNA) chip hybridization are presented. To attain best chip performance, homogeneous dispersion of DNA molecules throughout the chamber in which the chip is placed is of primary importance. Poincaré sections of a simple time-periodic flow, based on numerical simulations of the flow, are compared with visualizations in a scaled-up experiment, with good agreement. The influence on mixing efficiency of varying the period of the flow at fixed volume flow rate is studied and a trade off is found between the absence of regular islands and a small enough total sample volume. The results illustrate the potential for optimization of such devices based on numerical flow simulations. The DNA chip has become one of the core technologies in genetics research. A DNA chip is composed of an array of biological probes, such as arrays of oligonucleotides with predetermined sequences, fixed to a solid surface. With improvements of miniaturization techniques, it is possible to have hundreds of thousands of probes on a chip of 1 cm width or less. There are many different methods for making and reading such a chip, but this lies outside the scope of the paper (see Ref. 1 for an overview). In the process of genetic analysis, the array is exposed to labeled DNA samples (with fluorescent markers, for instance). When complementary sequences combine together, the chip is said to be hybridized. That is to say (in theory): the labeled DNA samples are hy-bridized specifically to their complementary biological probes, and are not hybridized to noncomplementary probes. Thus, using a fluorescence technique, some spots on the array fluoresce and others do not, leading to the determination of the chemical composition (the genetic sequence) of the DNA samples. Hybridization requires that complementary molecules encounter each other at some point in time. This may be achieved by pure molecular diffusion of DNA in the solution. In that case it is possible to estimate the typical diffusion

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Fichiers liés : Raynal_etal_PoF2004.pdf

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• Type de publi. : Communication dans un congrès
• Date de publi. : 18/07/2004
• Auteurs : Christophe SotinJean-Philippe CombeDaniela DespanS. LemouelicAline Gendrin
• Organismes : Laboratoire d'études spatiales et d'instrumentation en astrophysique Pôle Planétologie du LESIA

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• Type de publi. : Communication dans un congrès
• Date de publi. : 18/07/2004
• Auteurs : Michel MoncuquetH. MatsumotoJean-Louis BougeretKarine IssautierH. KojimaMilan MaksimovicNicole MeyerPhilippe Zarka
• Organismes : Laboratoire d'études spatiales et d'instrumentation en astrophysique Physique des plasmas Laboratoire d'études spatiales et d'instrumentation en astrophysique Physique des plasmas Laboratoire d'études spatiales et d'instrumentation en astrophysique Physique des plasmas Laboratoire d'études spatiales et d'instrumentation en astrophysique Physique des plasmas Laboratoire d'études spatiales et d'instrumentation en astrophysique Physique des plasmas Laboratoire d'études spatiales et d'instrumentation en astrophysique Physique des plasmas

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• Type de publi. : Communication dans un congrès
• Date de publi. : 16/07/2004
• Auteurs : Cédric Dumez-ViouAndrée CoffrePierre ColomLaurent DenisAlain LecacheuxJean-Michel MartinPhilippe RavierRodolphe WeberPhilippe Zarka
• Organismes : Laboratoire d'études spatiales et d'instrumentation en astrophysique Physique des plasmas Pôle Planétologie du LESIA Laboratoire d'études spatiales et d'instrumentation en astrophysique Physique des plasmas Pôle Planétologie du LESIA Laboratoire d'études spatiales et d'instrumentation en astrophysique Physique des plasmas Pôle Planétologie du LESIA Galaxies, Etoiles, Physique, Instrumentation Laboratoire d'études spatiales et d'instrumentation en astrophysique Physique des plasmas Pôle Planétologie du LESIA

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